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Référence fabricant | BAV21WS-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV21WS-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAV21WS-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21WS-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV21WS-HE3-18-FT |
GP15BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel