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Référence fabricant | BAV20W-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV20W-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAV20W-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV20W-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV20W-HE3-08-FT |
VS-60CPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80EPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel