maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV199
Référence fabricant | BAV199 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV199 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV199 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 85V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 140mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 50mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV199 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV199-FT |
MMBD4448V-7
Diodes Incorporated
BAT40VC-7
Diodes Incorporated
BAT54AT-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HTS-7-F
Diodes Incorporated
BAS40-05T-7-F
Diodes Incorporated
BAW156TQ-7-F
Diodes Incorporated
BAS40-04T-7-F
Diodes Incorporated
SDMP0340LST-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HTC-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-06T-7-F
Diodes Incorporated
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel