maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV199E6433HTMA1
Référence fabricant | BAV199E6433HTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV199E6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV199E6433HTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV199E6433HTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV199E6433HTMA1-FT |
SBRTF40U100CT
Diodes Incorporated
SF163
Diodes Incorporated
SF164
Diodes Incorporated
SR20150-G
Comchip Technology
SR20200-G
Comchip Technology
V40120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40M150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel