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Référence fabricant | BAV199-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAV199-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV199-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 215mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV199-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV199-TP-FT |
SBL1060CT
Diodes Incorporated
SBL1630CT
Diodes Incorporated
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SBL2050CT
Diodes Incorporated
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
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XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel