maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAV101 L0G
Référence fabricant | BAV101 L0G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAV101 L0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAV101 L0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV101 L0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV101 L0G-FT |
SK24AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel