maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAT760-7
Référence fabricant | BAT760-7 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT760-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT760-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 15V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT760-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT760-7-FT |
SBG1030L-T-F
Diodes Incorporated
B540CQ-13-F
Diodes Incorporated
B340Q-13-F
Diodes Incorporated
B360Q-13-F
Diodes Incorporated
S3MBQ-13-F
Diodes Incorporated
SDM02U30CSP-7
Diodes Incorporated
SBRT6U20LP-7
Diodes Incorporated
SBR4U130LP-7
Diodes Incorporated
B3L30LP-7
Diodes Incorporated
SBR3U100LP-7
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel