maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT6804E6327HTSA1
Référence fabricant | BAT6804E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT6804E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT6804E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky - 1 Pair Series Connection |
Tension - Inverse de crête (Max) | 8V |
Courant - Max | 130mA |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT6804E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT6804E6327HTSA1-FT |
HSMP-389U-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389V-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-270P-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR2G
Broadcom Limited
XC6VLX75T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP3SE260H780C4LN
Intel
5SGXEA9N1F45C2N
Intel
EP4SGX530KH40I4N
Intel
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31I5
Intel