maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAT6406E6327HTSA1
Référence fabricant | BAT6406E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT6406E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT6406E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT6406E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT6406E6327HTSA1-FT |
SR20150-G
Comchip Technology
SR20200-G
Comchip Technology
V40120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40M150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT60M45CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
WNS20H100CQ
WeEn Semiconductors
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
Intel
XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel