maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAT6405E6327HTSA1
Référence fabricant | BAT6405E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT6405E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT6405E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT6405E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT6405E6327HTSA1-FT |
SBL2050CT
Diodes Incorporated
SBL2060CT
Diodes Incorporated
SBL3030CT
Diodes Incorporated
SBL3040CT
Diodes Incorporated
SBL3045CT
Diodes Incorporated
SBL3060CT
Diodes Incorporated
SBL30L30CT
Diodes Incorporated
SBR10U300CT
Diodes Incorporated
SBRTF40U100CT
Diodes Incorporated
SF163
Diodes Incorporated
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel