maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAT54VV,115
Référence fabricant | BAT54VV,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT54VV,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT54VV,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 25V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54VV,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT54VV,115-FT |
NRVBB41H100CTT4G
ON Semiconductor
NTSB30100CTT4G
ON Semiconductor
MBRB20200CTT4G
ON Semiconductor
MBRB20100CTG
ON Semiconductor
MBRB1545CTT4G
ON Semiconductor
MBRB20200CTG
ON Semiconductor
MBRB30H60CTT4G
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MBRB2545CTG
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MBRB2060CTT4G
ON Semiconductor
MURB1620CTT4G
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
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EP3SE80F1152C4L
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EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel