maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAT54-G
Référence fabricant | BAT54-G |
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Numéro de pièce future | FT-BAT54-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT54-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT54-G-FT |
B360A-13
Diodes Incorporated
ES1B-13
Diodes Incorporated
ES1C-13
Diodes Incorporated
ES2AA-13
Diodes Incorporated
ES2BA-13
Diodes Incorporated
ES2CA-13
Diodes Incorporated
ES2DA-13
Diodes Incorporated
RS1A-13
Diodes Incorporated
RS1B-13
Diodes Incorporated
RS1D-13
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel