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Référence fabricant | BAT43 R0 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT43 R0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT43 R0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT43 R0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT43 R0-FT |
75HQ040
Microsemi Corporation
75HQ045
Microsemi Corporation
85HQ035
Microsemi Corporation
85HQ040
Microsemi Corporation
85HQ045
Microsemi Corporation
AK 04
Sanken
AK 06
Sanken
AK 09
Sanken
AL01
Sanken
AL01Z
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel