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Référence fabricant | BAT42W-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT42W-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAT42W-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 50mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT42W-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT42W-E3-18-FT |
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel