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Référence fabricant | BAT42 R0G |
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Numéro de pièce future | FT-BAT42 R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT42 R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT42 R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT42 R0G-FT |
62-0239PBF
Infineon Technologies
62-0245PBF
Infineon Technologies
62-0253PBF
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62-0254PBF
Infineon Technologies
70UR60G BK R
Vishay Semiconductor Opto Division
75HQ035
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75HQ040
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
85HQ035
Microsemi Corporation
85HQ040
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
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EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
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