maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT 15-099LRH E6327
Référence fabricant | BAT 15-099LRH E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT 15-099LRH E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT 15-099LRH E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 2 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | 110mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 100mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 4-XFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-4-7 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 15-099LRH E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT 15-099LRH E6327-FT |
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
A54SX08A-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C6G
Intel
10M04DAF256A7G
Intel
EP4SGX180KF40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F29E1SG
Intel
EPF10K100ARI240-3
Intel
EP20K200RC208-3
Intel