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Référence fabricant | BAS85-L0 L1G |
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Numéro de pièce future | FT-BAS85-L0 L1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS85-L0 L1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS85-L0 L1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS85-L0 L1G-FT |
5819SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMG/TR13
Microsemi Corporation
62-0209PBF
Infineon Technologies
62-0216PBF
Infineon Technologies
62-0239PBF
Infineon Technologies
62-0245PBF
Infineon Technologies
62-0253PBF
Infineon Technologies
62-0254PBF
Infineon Technologies
70UR60G BK R
Vishay Semiconductor Opto Division
75HQ035
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel