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Référence fabricant | BAS70TW-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-BAS70TW-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS70TW-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 70mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70TW-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS70TW-7-F-FT |
MBR60100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR6045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR3040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR4050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG6005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SBR10150CTFP
Diodes Incorporated
SBR20100CTFP
Diodes Incorporated
SBR10U60CTFP
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel