maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS70-06-E3-18
Référence fabricant | BAS70-06-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS70-06-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS70-06-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 70V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-06-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS70-06-E3-18-FT |
VS-MURB1020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
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Intel
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Intel
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