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Référence fabricant | BAS5202VE6127XT |
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Numéro de pièce future | FT-BAS5202VE6127XT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS5202VE6127XT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 750mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SC79-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS5202VE6127XT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS5202VE6127XT-FT |
IDH10G120C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH20G65C5XKSA2
Infineon Technologies
IDP45E60XKSA1
Infineon Technologies
IDH12G65C6XKSA1
Infineon Technologies
IDP08E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDH20G65C6XKSA1
Infineon Technologies
IDH16G120C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
IDP30E120XKSA1
Infineon Technologies
IDH12G65C5XKSA2
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel