maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAS416,115
Référence fabricant | BAS416,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS416,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS416,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS416,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS416,115-FT |
BYD37M,115
NXP USA Inc.
BYD77B,115
NXP USA Inc.
BYD77D,115
NXP USA Inc.
PRLL4001,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,135
NXP USA Inc.
PRLL5818,115
NXP USA Inc.
PRLL5819,115
NXP USA Inc.
BYV29B-500,118
WeEn Semiconductors
BYC10B-600,118
WeEn Semiconductors
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel