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Référence fabricant | BAS40TW-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-BAS40TW-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS40TW-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 40mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40TW-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40TW-7-F-FT |
MBR60100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR60100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR6045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1620PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR3040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR4050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG6005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SBR10150CTFP
Diodes Incorporated
SBR20100CTFP
Diodes Incorporated
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel