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Référence fabricant | BAS40-02V-V-G-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS40-02V-V-G-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS40-02V-V-G-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 120mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 380mV @ 1mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-02V-V-G-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS40-02V-V-G-08-FT |
VS-HFA06PB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30PB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation