maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAS316,115
Référence fabricant | BAS316,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS316,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS316,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS316,115-FT |
NUR460/L02,112
NXP USA Inc.
NUR460/L03,112
WeEn Semiconductors
NUR460/L04,112
NXP USA Inc.
BYC30W-600PQ
WeEn Semiconductors
BYC30W-1200PQ
WeEn Semiconductors
BY229-600,127
NXP USA Inc.
BY329-1000,127
NXP USA Inc.
BY329-1200,127
NXP USA Inc.
BY329-1500S,127
NXP USA Inc.
BY359-1500,127
NXP USA Inc.
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel