Référence fabricant | BAS29 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS29 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS29 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS29 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS29-FT |
GP2D003A060C
Global Power Technologies Group
GP2D003A065C
Global Power Technologies Group
GP2D006A060C
Global Power Technologies Group
GP2D008A120C
Global Power Technologies Group
GP2D012A065C
Global Power Technologies Group
DK208DRP
Littelfuse Inc.
RHRD660S9A-F085
ON Semiconductor
C2D05120E
Cree/Wolfspeed
CDBD6100-G
Comchip Technology
CDBD620-G
Comchip Technology
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel