maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS28Q-13
Référence fabricant | BAS28Q-13 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS28Q-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
BAS28Q-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 85V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 215mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS28Q-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS28Q-13-FT |
MBR20100CS2-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR20100CS2TR-G1
Diodes Incorporated
MBR20150CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR20200CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20200CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR2045CT-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CT-BP
Micro Commercial Co
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel