maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS21TW-7
Référence fabricant | BAS21TW-7 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS21TW-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS21TW-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21TW-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS21TW-7-FT |
MBR3045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40200PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR4060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR60100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR60100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
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EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation