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Référence fabricant | BAS21T-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAS21T-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS21T-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 250V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21T-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS21T-TP-FT |
EGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1K-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel