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Référence fabricant | BAS21LDYL |
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Numéro de pièce future | FT-BAS21LDYL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS21LDYL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 330mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006D-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21LDYL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS21LDYL-FT |
NRVB1045MFST1G
ON Semiconductor
NRVB1045MFST3G
ON Semiconductor
NRVB1240MFST3G
ON Semiconductor
NRVB2045EMFST1G
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NRVB30H100MFST1G
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NRVB30H100MFST3G
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NRVB460MFST3G
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NRVB5100MFST1G
ON Semiconductor
NRVB5100MFST3G
ON Semiconductor
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel