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Référence fabricant | BAS16WS-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS16WS-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS16WS-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16WS-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16WS-G3-08-FT |
GI817HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel