maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAS16TWQ-13R-F
Référence fabricant | BAS16TWQ-13R-F |
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Numéro de pièce future | FT-BAS16TWQ-13R-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS16TWQ-13R-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16TWQ-13R-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16TWQ-13R-F-FT |
MBR3035PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40200PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR40200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR4060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR60100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel