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Référence fabricant | BAS16T-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAS16T-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS16T-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 85V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 75mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 50mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16T-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16T-TP-FT |
GF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1K-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel