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Référence fabricant | BAS16_L99Z |
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Numéro de pièce future | FT-BAS16_L99Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS16_L99Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 85V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16_L99Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16_L99Z-FT |
RD0506T-TL-H
ON Semiconductor
RHRD660S9A_NL
ON Semiconductor
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU60C3SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RURD4120S9A
ON Semiconductor
RURD420S9A
ON Semiconductor
RURD420S9A_T
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel