maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAS116L2-TP
Référence fabricant | BAS116L2-TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAS116L2-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS116L2-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 85V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 215mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006-2C |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116L2-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS116L2-TP-FT |
HER158-TP
Micro Commercial Co
HER201-AP
Micro Commercial Co
HER201-TP
Micro Commercial Co
HER202-AP
Micro Commercial Co
HER202-TP
Micro Commercial Co
HER203-AP
Micro Commercial Co
HER203-TP
Micro Commercial Co
HER204-AP
Micro Commercial Co
HER204-TP
Micro Commercial Co
HER205-AP
Micro Commercial Co
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel