maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR90098LRHE6327XTSA1
Référence fabricant | BAR90098LRHE6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR90098LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR90098LRHE6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - 2 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 4-XFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-4-7 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR90098LRHE6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR90098LRHE6327XTSA1-FT |
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
XC4020XL-09HT144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200A-5VQ100C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
5SGXMB5R2F40C3N
Intel
A3P400-1FGG144
Microsemi Corporation
5AGXBB5D4F35I5N
Intel