maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR9002ELE6327XTMA1
Référence fabricant | BAR9002ELE6327XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR9002ELE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR9002ELE6327XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TSLP-2-19 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELE6327XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR9002ELE6327XTMA1-FT |
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
XC3S1600E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4020XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256C6N
Intel
10AX032E4F27E3SG
Intel
LFE3-95EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I2LG
Intel
5AGXBB1D4F35C4N
Intel