maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR6406E6327HTSA1
Référence fabricant | BAR6406E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR6406E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR6406E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - 1 Pair Common Anode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 150V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6406E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR6406E6327HTSA1-FT |
HSMP-3863-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3863-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-3863-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386L-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386L-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386L-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389L-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389L-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389L-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389R-BLKG
Broadcom Limited
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel