maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR6306E6327HTSA1
Référence fabricant | BAR6306E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR6306E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR6306E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - 1 Pair Common Anode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6306E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR6306E6327HTSA1-FT |
HSMP-389T-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389U-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389U-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389U-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389V-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-270P-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR1G
Broadcom Limited
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
EP4CE75F23C9L
Intel
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
XA6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP3C120F780I7N
Intel
EPF10K50SBC356-1
Intel