maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR6302LE6327XTMA1
Référence fabricant | BAR6302LE6327XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR6302LE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR6302LE6327XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6302LE6327XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR6302LE6327XTMA1-FT |
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG256M
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C8LN
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5AGXBA1D4F27I5
Intel
5SGSMD8N1F45I2N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27E2SG
Intel
10AX022E3F27E1HG
Intel