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Référence fabricant | BAR 50-02L E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR 50-02L E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR 50-02L E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.4pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 50-02L E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR 50-02L E6327-FT |
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
LFE2-6SE-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
APA150-PQG208A
Microsemi Corporation
A1415A-VQG100C
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-2FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35C4N
Intel