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Référence fabricant | BAQ135-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAQ135-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAQ135-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 125V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1nA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ135-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAQ135-GS18-FT |
VS-EPU3006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation