maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP64-05-TP
Référence fabricant | BAP64-05-TP |
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Numéro de pièce future | FT-BAP64-05-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAP64-05-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - 1 Pair Common Cathode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 175V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP64-05-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP64-05-TP-FT |
HSMP-389L-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389L-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389L-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389R-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389R-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389R-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389T-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389T-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389T-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389T-TR2G
Broadcom Limited
LFXP3C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBV676I
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484I
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A3PE1500-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
EP3C10U256A7N
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10AX027E4F29I3SG
Intel
10AX115S3F45E2LG
Intel