maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA 892-02L E6327
Référence fabricant | BA 892-02L E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BA 892-02L E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA 892-02L E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.1pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 500 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | TSLP-2-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA 892-02L E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA 892-02L E6327-FT |
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation