maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA783S-G3-18
Référence fabricant | BA783S-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BA783S-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA783S-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783S-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA783S-G3-18-FT |
HSMS-2862-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2863-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2864-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2864-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2864-TR2G
Broadcom Limited
A54SX08A-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C6G
Intel
10M04DAF256A7G
Intel
EP4SGX180KF40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F29E1SG
Intel
EPF10K100ARI240-3
Intel
EP20K200RC208-3
Intel