maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA783-HE3-18
Référence fabricant | BA783-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BA783-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA783-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA783-HE3-18-FT |
HSMS-2820-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2822-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2823-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR1G
Broadcom Limited
EPF8820ATC144-4N
Intel
XCV812E-7FG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC256-2X
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FF1148I
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I1SG
Intel
10AX115N2F45I2SGE2
Intel
EP20K200EQC240-2
Intel