maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA783-G3-18
Référence fabricant | BA783-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BA783-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA783-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA783-G3-18-FT |
HSMS-2814-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2814-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2820-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2822-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR2G
Broadcom Limited
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
AGLE3000V5-FG484
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A54SX72A-1PQ208I
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
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EP4SE820F43I3
Intel
XC7VX485T-1FF1761I
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XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
AT40K20-2AJI
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