maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA783-E3-08
Référence fabricant | BA783-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BA783-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA783-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA783-E3-08-FT |
HSMS-2813-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2814-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2814-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2814-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2820-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2822-BLKG
Broadcom Limited
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG256M
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C8LN
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5AGXBA1D4F27I5
Intel
5SGSMD8N1F45I2N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27E2SG
Intel
10AX022E3F27E1HG
Intel