maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA782-E3-18
Référence fabricant | BA782-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BA782-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA782-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.25pF @ 3V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 700 mOhm @ 3mA, 1GHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA782-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA782-E3-18-FT |
HSMS-2810-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2812-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2813-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2813-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2814-BLKG
Broadcom Limited
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2
Intel
XC7A200T-2FB676I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4N
Intel