maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA 779 E6327
Référence fabricant | BA 779 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BA 779 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA 779 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.6pF @ 10V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 7 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA 779 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA 779 E6327-FT |
HSMP-389V-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-270P-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280L-BLKG
Broadcom Limited
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE3000-2PQ208I
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A1010B-1PL68C
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5SGXEA3K3F35C2L
Intel