maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA779-HG3-08
Référence fabricant | BA779-HG3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BA779-HG3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA779-HG3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Résistance @ Si, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA779-HG3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA779-HG3-08-FT |
HSMS-2824-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2850-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2852-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2860-BLKG
Broadcom Limited
AT40K20-2DQC
Microchip Technology
5AGXBA1D4F27I5N
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX057N2F40I1SG
Intel
5SGSMD4H3F35I3N
Intel